本公司主要經營:西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列,觸摸屏6AV,DP接頭,6XV總線電纜,通訊模塊6GK系列,SITOP電源6EP系列。變頻調速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090,C98043等系列,6SE70,MM4系列及變頻調速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產品全新原裝,質保一年。
德國惠朋VIPA 315-4NE12Ex(i)模塊是按照[EExib]IIC測試的。因此,模塊上有兩道防爆屏障。然而,必須獲得[EExia]認可才能用來自防爆區(qū)0的傳感器/執(zhí)行器。(模塊上將應該有三道防爆屏障)。分配執(zhí)行器的針腳4和針腳5。
10000 AXCONF_MACHAX_NAME_TAB[n]: 0 ... max. No. Axes in sys. - 1 K2
機床坐標軸名SW1
顯示過濾器:N01,N11 POWER ON 重新上電
Always X1, Y1, Z1, A1, B1, C1,
U1, V1, ...
- - STRING 字符串2/7
10008 MAXNUM_PLC_CNTRL_AXES P2
- * PLC 控制軸數(shù)6.3
顯示過濾器:N01,N09 POWER ON重新上電
always 0 0 1 2 (NCU572) , 4
otherwise
BYTE 字節(jié)2/7
10010 ASSIGN_CHAN_TO_MODE_GROUP [n]: 0 ... max. No, chann. in sys. -1 K1
- 方式組中有效通道SW1.1
顯示過濾器:N01, N02, N11 POWER ON 重新上電
always 1, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
0, 0, ...
0 1 DWORD 雙字2/7
10050 SYSCLOCK_CYCLE_TIME G3
S 系統(tǒng)時鐘循環(huán)SW1
顯示過濾器:N01, N05, N11 屬性:SFCO POWER ON 重新上電
NCU571 0.006 0.002 0.031 DOUBLE 雙字2/7
NCU572 0.004 0.000125 0.031 DOUBLE 雙字2/7
NCU573 - 0.000125 0.031 DOUBLE 雙字2/7
NCU573, >1 channels 0.004 - - DOUBLE 雙字2/7
FM350-1的鎖存功能是不能產生過程中斷,但是可以產生過零中斷。在以下情況下建議采用單端屏蔽連接:
不允許安裝等電位導體時
傳送模擬信號時(mA或μA信號)
使用靜態(tài)屏蔽時
兩個接地點之間的電位差可能會造成等電位電流流過兩端連接的屏蔽層。
柵極過電壓、過電流防護
傳統(tǒng)保護模式:防護方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設置一些保護元件,如下圖的電阻RGE的作用,是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2,是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。在這些應用中,IGBT通常是以模塊的形式存在,由IGBT與FWD(續(xù)流芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模半導體產品。使用模塊的優(yōu)點是IGBT已封裝好,安裝非常方便,并且外殼上具有散熱裝置,大功率工作時散熱快。另外,還有實現(xiàn)控制電路部分與被驅動的IGBT之間的隔離設計,以及設計適合柵極的驅動脈沖電路等。然而即使這樣,在實際使用的工業(yè)環(huán)境中,以上方案仍然具有比較高的產品失效率——有時甚至會出5%。相關的實驗數(shù)據(jù)和研究表明:這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關系,而穩(wěn)壓管在此的響應時間和耐電流能力遠遠不足,從而導致IGBT過熱而損壞。
存儲模塊6DD1610-0AG1德國惠朋VIPA 315-4NE12需要注意在一個S7-300組態(tài)中,如果進行跨越模塊的I/O直接讀訪問(用該命令一次讀取幾個字節(jié)),那么就會讀到不正確的值??梢酝ㄟ^hardware中查看具體的地址。19:診斷緩沖器中的條目包括哪些?槽號標簽包括在CPU內。所有與運行相關的塊都將再次從裝載存儲器傳送到RAM中。
目前,在使用和設計IGBT的過程中,基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大,系統(tǒng)龐大,但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。瞬雷電子公司利用在半導體領域的生產和設計優(yōu)勢,結合瞬態(tài)抑制二極管的特點,在研究IGBT失效機理的基礎上,通過整合系統(tǒng)內外部來突破設計瓶頸。本文將突破傳統(tǒng)的保護方式,探討IGBT系統(tǒng)設計的解決方案。
在較大輸出功率的場合,比如工業(yè)領域中的、UPS電源、EPS電源,新能源領域中的風能發(fā)電、太陽能發(fā)電,新能源汽車領域的充電樁、電動控制、車載里,隨處都可以看到IGBT的身影。
IGBT失效場合:來自系統(tǒng)內部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電、電機感應電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動、電力線感應、浪涌等。歸根結底,IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
F4-150R12KS4
F4-150R12KS4
F4-100R12KS4
F4-100R06KL4
F3L300R07PE4
DZ800S17K3
DZ600N12K
DP15H1200T
DP10H1200T
DM2G400SH6N
DM2G400SH6A
DM2G300SH6N
DM2G300SH12A 使用IGBT的時候,首先要關注原廠提供的數(shù)據(jù)、應用手冊。在數(shù)據(jù)手冊中,尤其要關注的是IGBT重要參數(shù),如靜態(tài)參數(shù)、動態(tài)參數(shù)、短參數(shù)、熱性能參數(shù)。這些參數(shù)會告知我們IGBT的*值,就是*不能越的。設計完之后,在工作時 IGBT的參數(shù)也是同樣需要保證在合理數(shù)據(jù)范圍之內。
DM2G200SH6N
DM2G150SH12A
DM2G100SH6N
DIM800NSM33-F076
DIM800NSM33-F011
DF300R12KE3
DDB6U84N16RR
DDB6U144N16RR
DDB6U144N16R
DDB6U134N16RR
DDB6U104N16RR
德國惠朋VIPA 315-4NE12初始化模塊:OB100,只在系統(tǒng)開始運行時調用一次,可用它對某些數(shù)據(jù)進行初始化。步驟:
IGBT 的柵極-發(fā)射極驅動電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅動電路中應當設置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極-發(fā)射極有電流流過。這時若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時 , 可能會使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設備在運輸或振動過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會損壞。為防止此類情況發(fā)生 , 應在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應盡量靠近柵極與發(fā)射極。
在新能源汽車中,IGBT約占電機驅動系統(tǒng)成本的一半,而電機驅動系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,是除之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復合體 , 特別是其柵極為 MOS 結構 , 因此除了上述應有的保護之外 , 就像其他 MOS 結構器件一樣 ,IGBT 對于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對 IGBT 進行裝配焊接作業(yè)時也必須注意以下事項:
—— 在需要用手接觸 IGBT 前 , 應先將人體上的靜電放電后再進行操作 , 并盡量不要接觸模塊的驅動端子部分 , 必須接觸時要保證此時人體上所帶的靜電已全部放掉 ;
—— 在焊接作業(yè)時 , 為了防止靜電可能損壞 IGBT, 焊機一定要可靠地接地。
EndFragment-->A5E01283291原裝
A5E01283282-001驅動板
6SE7041-2WL84-1JC0觸發(fā)板
6SE7041-2WL84-1JC1驅動板
電阻模塊A5E00281090
A5E00682888
A5E00194776
6SE7038-6GK84-1JC2驅動板
6SL3162-1AH00-0AA0
A5E01540278排線連接線
A5E01540284連接線
A5E00281090電阻模塊
CUR板C98043-A1680-L1
控制板6SE7090-0XX85-1DA0
6SL3040-1MA00-0AA0控制單元
6SE7033-7EG84-1JF0板驅動板
6SE7035-1EJ84-1JC0驅動板
6SE7090-0XX84-6AD5控制板
6SY7000-0AC07
霍爾傳感器ES2000-9725
德國惠朋VIPA 315-4NE121.程序的構成舉個例子,如果您想在一個冗余的ET200M站中使用FM355或者FM355-2,那么請注意以下的重要事項:指針是指向當前打開塊的*個字節(jié)。設置步驟請參考《S7-200可編程控制器系統(tǒng)手冊》第4章PLC的基本概念->S7-200的特性->S7-200允許您設置停止模式下的數(shù)字量輸出狀態(tài)(2)NPN/PNP輸出的傳感器,能否接到S7-200CPU上? (3)S7-200能否使用兩線制的數(shù)字量(開關量)傳感器 91:如何用CP342-5組態(tài)PROFIBUS主站? 1.在STEP7的SIMATICManager窗口中在插入一個S7300站; 2.重復以上組態(tài)從站步驟的2-4步,注意插入CP342-5時,不能點擊”new…”按鈕,而直接用鼠標選中以上創(chuàng)建的PROFIBUS(1)網(wǎng)絡,點擊OK; 在"OperatingMode"標簽頁中選擇"DPMaster"選項; 92:采用CP342-5的DP通訊口與采用CPU集成的DP通訊口進行通訊有什么不同,這兩種通訊口功能有什么不同? 可以通過CPU集成的DP通訊口或CP443-5模板的DP通訊口,調用Load/Transfer指令(語句表編程,如圖2)、Mov指令(梯形圖編程)或系統(tǒng)功能塊SFC14/15訪問從站上的I/O數(shù)據(jù); 如果您使用342-5模塊的DP通訊口進行通訊,那么您就不能使用Load/Transfer指令(語句表編程)、Mov指令(梯形圖編程)直接訪問PROFIBUS從站的I/O數(shù)據(jù)。
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